IBM已研发出首个22纳米工艺静态存储器单元

　　IBM公司近日表示，已经研发出首个22纳米工艺SRAM（静态存储器）单元，该SRAM芯片将使22纳米处理器性能大幅提高，并减少耗电，应用于个人电脑，服务器及其它设备上的处理器产品。

　　作为缩小整个微处理器体积的重要一步，SRAM芯片主要负责在数据被处理之前暂时存储数据。利用其体积相对较小、速度较快的特点，IBM公司把更多的功能集成存放在芯片中，如添加3D图形或动画的能力。

　　SRAM芯片一般是半导体产业试验新工艺的第一种设备，也是迈向真正微处理器的关键一步。这块由IBM、AMD、飞思卡尔、意法半导体、东芝、纳米科学与工程学院（CNSE）共同制造的22nm SRAM芯片采用了传统的六晶体管设计，在300mm晶圆上切割而来，其面积仅有0.1平方微米。相比之下，Intel的45nm SRAM单元面积为0.346平方微米。

　　同时，作为IBM公司的竞争对手，英特尔公司已经成功的应用High-K金属栅极技术研发出45纳米处理器，并计划2011年推出22纳米工艺的产品。